STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-8686
- Producentens varenummer:
- STGWT60H65DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 168-8686
- Producentens varenummer:
- STGWT60H65DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Emballagetype | TO-3P | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | HB | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Emballagetype TO-3P | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie HB | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-3P Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 650 V 1 MHz TO-3P Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-3P Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics 80 A 650 V TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering