STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 687,33

(ekskl. moms)

Kr. 859,17

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 22,911Kr. 687,33
60 - 120Kr. 22,315Kr. 669,45
150 +Kr. 21,767Kr. 653,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-8686
Producentens varenummer:
STGWT60H65DFB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

80A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Emballagetype

TO-3P

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

HB

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
KR

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links