F475R12KS4B11BOSA1, IGBT-modul, N-Kanal, 100 A 1200 V 1MHz, 24 ben, ECONO2 Dobbelt halv bro

Udgået
RS-varenummer:
168-8761
Producentens varenummer:
F475R12KS4B11BOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

100 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

500 W

Konfiguration

Dobbelt halv bro

Kapslingstype

ECONO2

Monteringstype

Printmontering

Kanaltype

N

Benantal

24

Switching-hastighed

1MHz

Transistorkonfiguration

Dobbelt halv bro

Dimensioner

107.5 x 45 x 17mm

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+125 °C

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links