STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, Type N-Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 471,60

(ekskl. moms)

Kr. 589,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 60 enhed(er) afsendes fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 15,72Kr. 471,60
60 - 120Kr. 15,312Kr. 459,36
150 +Kr. 14,935Kr. 448,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-8808
Producentens varenummer:
STGW30H60DFB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Gravportfeltstop IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

260W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

HB

Længde

15.75mm

Bredde

5.15 mm

Højde

20.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links