STMicroelectronics, Gravportfeltstop IGBT, N-Kanal, 30 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-8808
- Producentens varenummer:
- STGW30H60DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 441,09
(ekskl. moms)
Kr. 551,37
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 600 enhed(er) afsendes fra 10. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | Kr. 14,703 | Kr. 441,09 |
| 300 - 720 | Kr. 14,521 | Kr. 435,63 |
| 750 + | Kr. 14,344 | Kr. 430,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-8808
- Producentens varenummer:
- STGW30H60DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Produkttype | Gravportfeltstop IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 260W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Serie | HB | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Produkttype Gravportfeltstop IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 260W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Serie HB | ||
Bredde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering