FGH60T65SQD-F155, IGBT, P-Kanal, 60 A 650 V, 3 ben, TO-247 G03 1 Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 71,45

(ekskl. moms)

Kr. 89,312

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 422 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 35,725Kr. 71,45
20 +Kr. 30,83Kr. 61,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-4627
Producentens varenummer:
FGH60T65SQD-F155
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

60 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±30V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

333 W

Kapslingstype

TO-247 G03

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

P

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Portkapacitans

3813pF

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Nominel energi

50mJ

COO (Country of Origin):
CN
Ved brug af ny field stop IGBT-teknologi, giver den nye serie af field stop 4. generations IGBT'er fra ON semiconductor optimal ydelse for anvendelser inden for solcelle-invertere, UPS, svejsning, telekommunikation, ESS og PFC, hvor lav ledeevne og tab ved omskiftning er vigtig.

Maks. forbindelsestemperatur: TJ = 175 °C
Positiv temperaturkoefficient for nem parallel drift
Høj strømstyrkekapacitet
Lav mætningsspænding: VCE(sat) = 1,6 V (typisk) ved IC = 60 A
Høj indgangsimpedans
Hurtigt skift
Stram parameterfordeling
Anvendelsesområder
Solenergi-inverter, UPS, svejsning, telekommunikation, ESS, PFC

Relaterede links