SIA433EDJ-T1-GE3, IGBT

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 32,56

(ekskl. moms)

Kr. 40,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.960 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 1,628Kr. 32,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7754
Producentens varenummer:
SIA433EDJ-T1-GE3
Brand:
Vishay

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal PowerPAK-SC70-6 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en maksimal gate-kildespænding på 12 V. Den har en drænkildemodstand på 18 m ved en gate-kildespænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 19 W og kontinuerlig drænstrøm på 12 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på henholdsvis 1,8 V og 4,5 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• indbygget ESD-beskyttelse med zener-diode
• Halogenfri
• blyfri (Pb) komponent
• lav ON-modstand
• Nyt termisk forbedret PowerPAK SC-70 hus
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• lille areal
• TrenchFET Power MOSFET
• typisk ESD-ydelse er 1800 V.

Anvendelsesområder


• batterikontakter
• kontakter til oplader
• Belastningskontakter
• bærbare enheder

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet

Relaterede links