NXH100B120H3Q0STG, IGBT-modul, N-Kanal 1200 V, 22 ben, Q0BOOST Dobbelt

Se alle IGBT

Indhold 1 enhed (leveres i en bakke)*

Kr. 301,66

(ekskl. moms)

Kr. 377,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 11 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Pr stk.
1 +Kr. 301,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-8771P
Producentens varenummer:
NXH100B120H3Q0STG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

186 W

Konfiguration

Dual

Kapslingstype

Q0BOOST

Monteringstype

Overflademontering

Kanaltype

N

Benantal

22

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Dimensioner

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-40 °C

NXH100B120H3Q0 er et strømforsyningsmodul med dobbelt boost-trin bestående af to 50A/1200 V IGBT'er, to 20A/1200 V SiC-dioder og to 25 A/1600 V anti-parallelle dioder til IGBT'erne. Yderligere to 25 A/1600V bypass-ensrettere, som bruges til indkoblingstrømspidsbegrænsning er inkluderet. En integreret termistor er inkluderet.

IGBT-specifikationer: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Hurtig IGBT med lav VCE(SAT) for høj effektivitet
25 A/1600 V bypass og anti-parallelle dioder
Dioder med lavt VF-bypass giver fremragende effektivitet i bypass-tilstand
SiC-ensretterspecifikation: VF = 1,44 V
SiC-diode til switching ved høj hastighed
Versioner med loddestift og trykmonterede ben kan leveres
• Fleksibel montering
Anvendelsesområder
MPPT boost-trin
Batterilader, Boost-Trin

Relaterede links