STGB30H65DFB2, IGBT, 50 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 91,11

(ekskl. moms)

Kr. 113,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 18,222Kr. 91,11
50 - 95Kr. 17,084Kr. 85,42
100 - 245Kr. 13,674Kr. 68,37
250 - 495Kr. 11,40Kr. 57,00
500 +Kr. 10,038Kr. 50,19

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-9868
Producentens varenummer:
STGB30H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

167 W

Antal transistorer

1

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling

Relaterede links