STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 204-9868P
- Producentens varenummer:
- STGB30H65DFB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 903,60
(ekskl. moms)
Kr. 1.129,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 18,072 |
| 125 + | Kr. 14,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-9868P
- Producentens varenummer:
- STGB30H65DFB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 50A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 50A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 9.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.
Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling