STGB30H65DFB2, IGBT, 50 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 854,20

(ekskl. moms)

Kr. 1.067,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
50 - 95Kr. 17,084
100 - 245Kr. 13,674
250 - 495Kr. 11,40
500 +Kr. 10,038

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-9868P
Producentens varenummer:
STGB30H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

167 W

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling

Recently viewed