STMicroelectronics, IGBT, 86 A 650 V, 3 Ben, TO-263 1
- RS-varenummer:
- 204-9869
- Producentens varenummer:
- STGB50H65FB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 204-9869
- Producentens varenummer:
- STGB50H65FB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 86A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 86A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af den avancerede proprietære skotgate-felt-stop-struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til ledning, takket være en bedre VCE(sat)-adfærd ved lave strømværdier, samt med hensyn til reduceret koblingsenergi.
Maksimal samlingstemperatur: TJ = 175 °C
Lav VCE(sat) = 1,55 V(typ.) ved IC = 50 A
Minimeret strøm i halen
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Relaterede links
- STMicroelectronics 86 A 650 V TO-263 1
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon 15 A 650 V, TO-263
- STMicroelectronics 80 A 650 V TO-247
- STMicroelectronics 40 A 650 V TO-220 1
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Hulmontering
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade 1