STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- RS-varenummer:
- 204-9871
- Producentens varenummer:
- STGF20H65DFB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 444,40
(ekskl. moms)
Kr. 555,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,888 | Kr. 444,40 |
| 100 - 200 | Kr. 8,779 | Kr. 438,95 |
| 250 - 450 | Kr. 8,671 | Kr. 433,55 |
| 500 - 950 | Kr. 8,566 | Kr. 428,30 |
| 1000 + | Kr. 8,464 | Kr. 423,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-9871
- Producentens varenummer:
- STGF20H65DFB2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 40A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.1V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Serie | STG | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 40A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.1V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Serie STG | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.
Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand