STGF20H65DFB2, IGBT, 40 A 650 V, 3 ben, TO-220FP 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 495,05

(ekskl. moms)

Kr. 618,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 9,901Kr. 495,05
100 - 200Kr. 9,633Kr. 481,65
250 - 450Kr. 9,375Kr. 468,75
500 - 950Kr. 9,138Kr. 456,90
1000 +Kr. 8,91Kr. 445,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-9871
Producentens varenummer:
STGF20H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

40 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

45 W

Kapslingstype

TO-220FP

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand

Relaterede links