STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering

Se alle IGBT
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
204-9871
Producentens varenummer:
STGF20H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

40A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Emballagetype

TO-220FP

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

STG

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.6mm

Bredde

16.4mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.

Meget hurtig og blød genindvindingsdiode

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.