STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 206-6063
- Producentens varenummer:
- STGW75H65DFB2-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 150 flere for at gemme Kr. 399,75
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.269,42
(ekskl. moms)
Kr. 1.586,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 42,314 | Kr. 1.269,42 | - |
| 150 + | Kr. 39,649 | Kr. 1.189,47 | Kr. 399,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-6063
- Producentens varenummer:
- STGW75H65DFB2-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 115A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 357W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 4 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Bredde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 115A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 357W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 4 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Bredde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.
Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,55 V (typ.) VED IC = 75 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient
Fremragende skifteevne takket være den ekstra driving kelvin PIN
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 4 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 4 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 4 Ben, TO-247-4 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 650 V TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering