STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 206-8630P
- Producentens varenummer:
- STGWA30IH65DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 25 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 919,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.149,125
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 36,772 |
| 50 - 120 | Kr. 35,814 |
| 125 - 245 | Kr. 34,916 |
| 250 + | Kr. 34,004 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-8630P
- Producentens varenummer:
- STGWA30IH65DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 60A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 108W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 4 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.05V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 60A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 108W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 4 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.05V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.
Kun designet til blød kommutation
Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Friløbsdiode med lav spænding i co-pakke
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient