STGW100H65FB2-4, IGBT, N-Kanal, 145 A 650 V, 4 ben, TO247-4 1 Enkelt

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.010,70

(ekskl. moms)

Kr. 1.263,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 540 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 90Kr. 33,69Kr. 1.010,70
120 - 480Kr. 30,62Kr. 918,60
510 - 990Kr. 29,836Kr. 895,08
1020 +Kr. 29,09Kr. 872,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:
212-2106
Producentens varenummer:
STGW100H65FB2-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

145 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

441 W

Kapslingstype

TO247-4

Kanaltype

N

Benantal

4

Transistorkonfiguration

Enkelt

IGBT


STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi. Resultatet er et produkt, der er specielt designet til at maksimere effektiviteten til en lang række hurtige anvendelser.

Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links

Recently viewed