STGW100H65FB2-4, IGBT, N-Kanal, 145 A 650 V, 4 ben, TO247-4 1 Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 461,40

(ekskl. moms)

Kr. 576,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 568 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 +Kr. 46,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
212-2107P
Producentens varenummer:
STGW100H65FB2-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

145 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

441 W

Antal transistorer

1

Kapslingstype

TO247-4

Kanaltype

N

Benantal

4

Transistorkonfiguration

Enkelt

IGBT


STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi. Resultatet er et produkt, der er specielt designet til at maksimere effektiviteten til en lang række hurtige anvendelser.

Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Recently viewed