AIGW50N65F5XKSA1, IGBT, 80 A 650 V, 3 ben, PG-TO247-3
- RS-varenummer:
- 215-6610
- Producentens varenummer:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 762,06
(ekskl. moms)
Kr. 952,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 25,402 | Kr. 762,06 |
| 60 - 120 | Kr. 24,133 | Kr. 723,99 |
| 150 + | Kr. 23,116 | Kr. 693,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6610
- Producentens varenummer:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 80 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20 V, ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. | 270 W | |
| Kapslingstype | PG-TO247-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 80 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20 V, ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. 270 W | ||
Kapslingstype PG-TO247-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon 3-benet højhastigheds, hurtig isoleret gate bipolær transistor.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- AIGW50N65F5XKSA1 80 A 650 V PG-TO247-3
- IHW50N65R5XKSA1 80 A 650 V PG-TO247-3
- AIKW50N65RF5XKSA1 80 A 650 V PG-TO247-3 Enkelt
- IGW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- IKW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- IKW50N65H5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- IKW50N65EH5XKSA1 N-Kanal 3 ben, PG-TO247 1
- IHW40N65R6XKSA1 3 ben, PG-TO247-3