Infineon, Omvendt ledende IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 45,25

(ekskl. moms)

Kr. 56,562

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 22,625Kr. 45,25
20 - 48Kr. 20,42Kr. 40,84
50 - 98Kr. 19,035Kr. 38,07
100 - 198Kr. 17,655Kr. 35,31
200 +Kr. 11,295Kr. 22,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6646
Producentens varenummer:
IHW50N65R5XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Omvendt ledende IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

80A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

282W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.35V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

Resonant Switching

Standarder/godkendelser

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Bilindustristandarder

Nej

Infineon omvendt ledende isoleret gate bipolær transistor med monolitisk husdiode.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.