Infineon, Omvendt ledende IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 45,25

(ekskl. moms)

Kr. 56,562

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 22,625Kr. 45,25
20 - 48Kr. 20,42Kr. 40,84
50 - 98Kr. 19,035Kr. 38,07
100 - 198Kr. 17,655Kr. 35,31
200 +Kr. 11,295Kr. 22,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6646
Producentens varenummer:
IHW50N65R5XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

80A

Produkttype

Omvendt ledende IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

282W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.35V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Serie

Resonant Switching

Bilindustristandarder

Nej

Infineon omvendt ledende isoleret gate bipolær transistor med monolitisk husdiode.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links