Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, N-Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 215-6648P
- Producentens varenummer:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 537,80
(ekskl. moms)
Kr. 672,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 21,512 |
| 50 - 120 | Kr. 20,076 |
| 125 - 245 | Kr. 18,64 |
| 250 + | Kr. 17,204 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6648P
- Producentens varenummer:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Produkttype | IC til IGBT-enkelt transistor | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 105W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.65V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Produkttype IC til IGBT-enkelt transistor | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 105W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.65V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon switch-switch med høj hastighed isoleret gate, bipolær transistor, der er coppakket med fuld mærkestrøm, Rapid 1 antiparallel diode har også 650 v gennemslagsspænding.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens