IKD15N60RATMA1, IGBT, 30 A 600 V, 3 ben, PG-TO252-3
- RS-varenummer:
- 215-6657
- Producentens varenummer:
- IKD15N60RATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 21,26
(ekskl. moms)
Kr. 26,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.860 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 4,252 | Kr. 21,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6657
- Producentens varenummer:
- IKD15N60RATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 30 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 250 W | |
| Kapslingstype | PG-TO252-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 30 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 600 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 250 W | ||
Kapslingstype PG-TO252-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon isoleret gate bipolær transistor med integreret diode i huse giver pladsbesparende fordel.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens