IKW20N60H3FKSA1, IGBT, N-Kanal, 40 A 600 V 100kHz, 3 ben, TO-247 1 Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 79,36

(ekskl. moms)

Kr. 99,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 172 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 36Kr. 19,84Kr. 79,36
40 - 76Kr. 16,063Kr. 64,25
80 - 196Kr. 15,315Kr. 61,26
200 - 596Kr. 13,95Kr. 55,80
600 +Kr. 12,173Kr. 48,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
892-2197
Producentens varenummer:
IKW20N60H3FKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

40 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

170 W

Kapslingstype

TO-247

Konfiguration

Single

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

100kHz

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Portkapacitans

1100pF

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Nominel energi

1.07mJ

Infineon IGBT, 40A maksimal kontinuerlig kollektorstrøm, 600V maksimal kollektor-emitterspænding - IKW20N60H3FKSA1


Dette IGBT-modul er designet til højhastigheds-switching-applikationer inden for effektelektronik. Enheden overholder specifikationerne for TO-247 IGBT-pakken og måler 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Med en maksimal kollektor-emitterspænding på 600 V og en kontinuerlig kollektorstrøm på 40 A viser den sig effektiv til forskellige krævende anvendelser i den elektriske og mekaniske sektor.

Egenskaber og fordele


• Bruger TRENCHSTOP-teknologi, der giver lav VCEsat
• Opnår maksimal tilslutningstemperatur på 175 °C for robust ydeevne
• Har en blød antiparallel diode med hurtig gendannelse, der øger pålideligheden
• Sikrer en skiftehastighed på 100 kHz for effektiv drift

Anvendelser


• Bruges i uafbrydelige strømforsyninger til pålidelig drift
• Effektiv i svejsekonvertere til højtydende svejsning
• Velegnet til omformere med krav til høj skiftefrekvens

Hvad er de termiske modstandsegenskaber for dette modul?


Den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 0,88 K/W, mens diodens termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 1,89 K/W, hvilket sikrer effektiv varmeafledning i krævende miljøer.

Hvordan håndterer IGBT'en kortslutninger og strømspild?


Den understøtter en pulserende kollektorstrøm på op til 80A og en effektafledningskapacitet på 170W, hvilket giver en robust ydeevne under kortslutningsforhold. Enheden kan håndtere op til 1000 kortslutninger med en sikker driftstid på 5 μs.

Hvilken betydning har gate-kapaciteten i denne IGBT?


Gatekapaciteten på 1100pF bidrager til en effektiv styring af gate-emitter-spændingen, hvilket fører til optimerede skifteegenskaber og reducerer energitabet under drift.


IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links