Infineon, IGBT in GRAVSTOP TM 5-teknologi, Type N-Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Hulmontering

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 25 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 332,85

(ekskl. moms)

Kr. 416,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
25 - 45Kr. 13,314
50 - 120Kr. 12,956
125 - 245Kr. 12,626
250 +Kr. 12,312

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6663P
Producentens varenummer:
IKP40N65H5XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT in GRAVSTOP TM 5-teknologi

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

74A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.65V

Portsenderspænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standarder/godkendelser

Pb-free lead plating, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 650v femtegenerations duopack isoleret-gate bipolær transistor og diode i højhastigheds switching-serien i trenchstop-teknologi.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.