Infineon, IGBT, N-Kanal, 90 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 215-6674
- Producentens varenummer:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 958,65
(ekskl. moms)
Kr. 1.198,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 240 enhed(er) afsendes fra 11. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 31,955 | Kr. 958,65 |
| 60 - 120 | Kr. 30,359 | Kr. 910,77 |
| 150 + | Kr. 29,08 | Kr. 872,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6674
- Producentens varenummer:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 90A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 395W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.65V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 41.42mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bredde | 16.13mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 90A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 395W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.65V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 41.42mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bredde 16.13mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon højhastigheds femte generationsserie IGBT, 650 V maks. kollektoremitterspænding, 90 A maks. kontinuerlig kollektorstrøm - IKW75N65EH5XKSA1
Denne IGBT er en strøm-switching-enhed, der er designet til højspændings-, højstrømsanvendelser i industriel elektronik. Den kombinerer hurtig skiftekapacitet med robust spændingshåndtering for at understøtte inverter- og motordrevtopologier. Komponenten leveres i en TO-247-pakke med gennemgående hul og er fremstillet i overensstemmelse med JEDEC-standarder for ensartede elektriske egenskaber.
Egenskaber og fordele:
• 650 V Vceo-klassificering muliggør højspændingsinverterdesign
• 90 A kontinuerlig kollektorstrøm understøtter tunge motorbelastninger
• 1.65 V Vcesat minimerer ledningstab ved høj strøm
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger
• 395 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• Driftsområde fra -40 °C til 175 °C er velegnet til miljøer med høje temperaturer
• 90 A kontinuerlig kollektorstrøm understøtter tunge motorbelastninger
• 1.65 V Vcesat minimerer ledningstab ved høj strøm
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger
• 395 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• Driftsområde fra -40 °C til 175 °C er velegnet til miljøer med høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrevstrin
• Ideel til 3-fasede inverterudgangstransistorer
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver højstrømskobling
• Kan bruges til trækkraft- og kraftige drevmoduler
• Velegnet til hullede prototyper og printkortmonterede moduler
• Ideel til 3-fasede inverterudgangstransistorer
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver højstrømskobling
• Kan bruges til trækkraft- og kraftige drevmoduler
• Velegnet til hullede prototyper og printkortmonterede moduler
Hvilke huskarakteristika påvirker termisk overførsel?
TO-247-formatet giver en stor metalbagside til montering af kølelegeme og ledninger med gennemgående hul til sikker montering, hvilket muliggør effektiv ledning af afledt effekt til ekstern køling.
Hvordan påvirker gate-spændingsgrænsen drivervalg?
Med en maksimal mærkeværdi for gate-emitter på ±30 V skal drivere holde gate-amplitude inden for dette område for at forhindre enhedsbelastning og samtidig give tilstrækkeligt drev til hurtige skifteovergange.
Hvilke overvejelser gælder for parallel drift af flere enheder?
Når du deler strøm på tværs af enheder, skal du sikre matchende Vcesat-egenskaber og individuel gate-drive-styring
er der behov for tilstrækkelig termisk styring for at forhindre termisk udløsning under ulige belastningsfordeling.
Hvordan fungerer enheden ved høje omgivelsestemperaturer?
Det specificerede driftsområde til 175 °C angiver egnethed til miljøer med høje temperaturer, men termisk design på systemniveau skal opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser i betragtning af 395 W tabskapacitet.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 650 V PG-TO-247-3-PLUS-N Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 4 Ben, TO-247 Hulmontering
- Infineon N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
