IKW75N65EH5XKSA1, IGBT, 90 A 650 V, 3 ben, PG-TO247-3
- RS-varenummer:
- 215-6674
- Producentens varenummer:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 665,13
(ekskl. moms)
Kr. 831,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 22,171 | Kr. 665,13 |
| 60 - 120 | Kr. 21,064 | Kr. 631,92 |
| 150 + | Kr. 20,176 | Kr. 605,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6674
- Producentens varenummer:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 90 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20 V, ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. | 395 W | |
| Kapslingstype | PG-TO247-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 90 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20 V, ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. 395 W | ||
Kapslingstype PG-TO247-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon isoleret gate bipolær transistor med højhastigheds H5 teknologi.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens