Infineon, IGBT, N-Kanal, 90 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 215-6675
- Producentens varenummer:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 104,27
(ekskl. moms)
Kr. 130,338
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 11. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 52,135 | Kr. 104,27 |
| 10 - 18 | Kr. 47,385 | Kr. 94,77 |
| 20 - 48 | Kr. 44,28 | Kr. 88,56 |
| 50 - 98 | Kr. 41,215 | Kr. 82,43 |
| 100 + | Kr. 38,075 | Kr. 76,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6675
- Producentens varenummer:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 90A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 395W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.65V | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 41.42mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bredde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 90A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 395W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.65V | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 41.42mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bredde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon isoleret gate bipolær transistor med højhastigheds H5 teknologi.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens