IHW40N65R5XKSA1, IGBT, N-Kanal, 40 A 650 V, 3 ben, TO-247 Enkelt

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 536,22

(ekskl. moms)

Kr. 670,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 150 enhed(er) afsendes fra 12. november 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Pr stk.
Pr rør*
30 +Kr. 17,874Kr. 536,22

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-8581
Producentens varenummer:
IHW40N65R5XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

40 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

230 W

Kapslingstype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Portkapacitans

4740pF

Driftstemperatur min.

-40 °C

Nominel energi

1.91mJ

COO (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V


En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.

• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C


IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links