IKZ50N65EH5XKSA1, IGBT, 85 A 650 V, 4 ben, PG-TO247-4
- RS-varenummer:
- 215-6676
- Producentens varenummer:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 581,64
(ekskl. moms)
Kr. 727,05
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 19,388 | Kr. 581,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6676
- Producentens varenummer:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 85 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20 V, ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. | 273 W | |
| Kapslingstype | PG-TO247-4 | |
| Benantal | 4 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 85 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20 V, ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. 273 W | ||
Kapslingstype PG-TO247-4 | ||
Benantal 4 | ||
Infineon 650v duopack isoleret-gate bipolær transistor og diode er oppakket med Rapid 1 hurtig og blød antiparallel diode.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- IKZ50N65EH5XKSA1 85 A 650 V PG-TO247-4
- IGW30N65L5XKSA1 85 A 650 V PG-TO247-3
- IKW30N65EL5XKSA1 N-Kanal 3 ben, PG-TO247 1
- IHW40N65R6XKSA1 3 ben, PG-TO247-3
- AIGW50N65F5XKSA1 80 A 650 V PG-TO247-3
- IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V PG-TO247-3
- IKW30N65H5XKSA1 55 A 650 V PG-TO247-3
- IKW75N65EH5XKSA1 90 A 650 V PG-TO247-3