Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 215-6633
- Producentens varenummer:
- IGW30N65L5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 471,24
(ekskl. moms)
Kr. 589,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 15,708 | Kr. 471,24 |
| 60 - 120 | Kr. 14,925 | Kr. 447,75 |
| 150 - 270 | Kr. 14,297 | Kr. 428,91 |
| 300 - 570 | Kr. 13,668 | Kr. 410,04 |
| 600 + | Kr. 12,726 | Kr. 381,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6633
- Producentens varenummer:
- IGW30N65L5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 85A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 227W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Standarder/godkendelser | Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 85A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 227W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Standarder/godkendelser Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 5. Generation isoleret gate bipolær transistor med lav mætningsspænding.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- IGW30N65L5XKSA1 85 A 650 V PG-TO247-3
- IKW30N65EL5XKSA1 N-Kanal 3 ben, PG-TO247 1
- IKZ50N65EH5XKSA1 85 A 650 V PG-TO247-4
- IHW40N65R6XKSA1 3 ben, PG-TO247-3
- IKW75N65EH5XKSA1 90 A 650 V PG-TO247-3
- IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V PG-TO247-3
- AIGW40N65H5XKSA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- IKW30N65H5XKSA1 55 A 650 V PG-TO247-3
