IHW30N160R5XKSA1, IGBT, N-Kanal, 30 A 1600 V, 3 ben, TO-247 1 Enkelt

RS-varenummer:: 218-4399
Producentens varenummer:: IHW30N160R5XKSA1
Brand:: Infineon

IHW30N160R5XKSA1, IGBT, N-Kanal, 30 A 1600 V, 3 ben, TO-247 1 Enkelt

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 174,27

(ekskl. moms)

Kr. 217,84

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 10 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Plus 45 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Plus 3.145 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 5	Kr. 34,854	Kr. 174,27
10 - 20	Kr. 31,372	Kr. 156,86
25 - 45	Kr. 29,276	Kr. 146,38
50 - 120	Kr. 27,182	Kr. 135,91
125 +	Kr. 25,446	Kr. 127,23

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-4399
Producentens varenummer:: IHW30N160R5XKSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks.	30 A
	Kollektor emitter spænding maks.	1600 V
	Gate emitter spænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks.	263 W
	Antal transistorer	1
	Kapslingstype	TO-247
	Kanaltype	N
	Benantal	3
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Dimensioner	16.3 x 21.5 x 5.3mm
	Driftstemperatur min.	-40 °C
	Driftstemperatur maks.	+175 °C
	Portkapacitans	1500pF

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 30 A
	Kollektor emitter spænding maks. 1600 V
	Gate emitter spænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. 263 W
	Antal transistorer 1
	Kapslingstype TO-247
	Kanaltype N
	Benantal 3
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Dimensioner 16.3 x 21.5 x 5.3mm
	Driftstemperatur min. -40 °C
	Driftstemperatur maks. +175 °C
	Portkapacitans 1500pF

Infineon IGBT, 30A maksimal kontinuerlig kollektorstrøm, 1600V maksimal kollektor-emitterspænding - IHW30N160R5XKSA1

Denne IGBT er en robust halvlederenhed, der er designet til højspændingsapplikationer med en maksimal kollektorstrøm på 30 A og fungerer inden for et temperaturområde på -40 °C til +175 °C. TO-247-pakken sikrer nem installation, mens dens dimensioner på 16,3 x 21,5 x 5,3 mm giver en kompakt løsning til forskellige elektroniske behov.

Egenskaber og fordele

• Omvendt ledningsevne for forbedret ydeevne
• Monolitisk kropsdiode reducerer fremadrettet spændingstab
• Stram parameterfordeling forbedrer pålideligheden
• Høj robusthed forbedrer holdbarheden under krævende forhold
• Lav EMI-emission sikrer minimal interferens i kredsløb

Anvendelser

• Bruges til induktionskogning
• Velegnet til mikrobølgeovnskredsløb
• Ideel til forskellige højspændingsskift
• Kompatibel med specialiserede halvleder-strømforsyningsmoduler

Hvad er de vigtigste termiske egenskaber ved denne enhed?

Den termiske modstand fra forbindelsen til omgivelserne er 40 K/W, og den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 0,57 K/W, hvilket sikrer effektiv varmestyring under belastningsforhold.

Hvordan håndterer dette IGBT-modul højspændingsapplikationer?

Den har en kollektor-emitterspænding på op til 1600 V, hvilket gør den velegnet til højspændingsmiljøer, samtidig med at den opretholder sikker drift på tværs af specificerede grænser.

Hvilke konsekvenser har det maksimale strømforbrug for designet?

Med en maksimal effektafledning på 263 W giver den mulighed for effektiv energistyring, hvilket sikrer, at enheden kan fungere effektivt uden termisk overbelastning i typiske applikationer.