IHW40N65R6XKSA1, IGBT 650 V, 3 ben, PG-TO247-3
- RS-varenummer:
- 225-0573
- Producentens varenummer:
- IHW40N65R6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 240 enheder)*
Kr. 3.281,76
(ekskl. moms)
Kr. 4.102,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | Kr. 13,674 | Kr. 3.281,76 |
| 480 + | Kr. 12,99 | Kr. 3.117,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0573
- Producentens varenummer:
- IHW40N65R6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 210 W | |
| Kapslingstype | PG-TO247-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 210 W | ||
Kapslingstype PG-TO247-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon IHW40N65R6 er IGBT 650 V, 40 A med monolithisk integreret diode i TO-247-hus med monolithisk integreret diode er designet til at opfylde krævende krav til induktionsvarmeanvendelser ved brug af halvbro resonant topologi.
Frekvensområde 20-75 kHz
Lav EMI
Meget kompakt parameterfordeling
Maks. driftstemperatur J på 175 grader C.
Lav EMI
Meget kompakt parameterfordeling
Maks. driftstemperatur J på 175 grader C.