Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-263 Overflade

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 114,44

(ekskl. moms)

Kr. 143,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 22,888Kr. 114,44
25 - 45Kr. 20,584Kr. 102,92
50 - 120Kr. 19,224Kr. 96,12
125 - 245Kr. 17,862Kr. 89,31
250 +Kr. 16,71Kr. 83,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6063
Producentens varenummer:
IGB50N65S5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

80A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

270W

Emballagetype

PG-TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

30 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.7V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

TrenchStop

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IGB50N65S er 50 A IGBT med antiparallel diode uden behov for gate-klemningskomponent. I denne bløde strømfaldeegenskab uden bagstrøm, og den er fremragende til parallelkobling.

Meget lav VCEsat på 1,35 V ved 25 °C.

Maks. samledstemperatur Tvj 175 °C.

fire gange nominel strøm

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.