Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Overflade

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 48,405

(ekskl. moms)

Kr. 60,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.845 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 +Kr. 3,227Kr. 48,41

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6074
Producentens varenummer:
IGD06N60TATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

12A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IGD06N60T er en meget blød, hurtig genindvindingsdiode med antiparallel emitter og har en høj robusthed, temperaturstabil adfærd. Den har lavt skiftetab.

Meget lav VCE(sat) 1,5 V (typ.)

Maks. samledstemperatur 175 °C.

Kortslutning kan modstå tid 5 mikrosekund

Relaterede links