FGH4L40T120LQD, IGBT, 80 A 1200 V, TO-247 30
- RS-varenummer:
- 241-0723
- Producentens varenummer:
- FGH4L40T120LQD
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 241-0723
- Producentens varenummer:
- FGH4L40T120LQD
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 80 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. | 153 W | |
| Antal transistorer | 30 | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 80 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. 153 W | ||
Antal transistorer 30 | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
ON Semiconductor 1200 V, 40 A ultra-feltstop IGBT. IGBT har en hurtigskiftende, co-pakket diode, hvilket gør den ideel til brug i anvendelser med hårdt skift, hvor EON, IRRM og trr er vigtige faktorer til at bestemme tabene. Ultra Field Stop IGBT'er giver fremragende koblingstab til enheder med lavt ledningstab.
Lav VCE (sat) 1,55V ved 40A
EON 1,04mJ ved 600V/40A
EOFF 1,35mJ ved 600V/40A
IRRM 41,3A ved 175C 1A/ns 40A
EON 1,04mJ ved 600V/40A
EOFF 1,35mJ ved 600V/40A
IRRM 41,3A ved 175C 1A/ns 40A
Relaterede links
- FGH4L40T120LQD 80 A 1200 V, TO-247 30
- FGHL75T65LQDTL4 80 A 650 V, TO-247-4LD 30
- FGHL75T65MQDTL4 80 A 650 V, TO-247-4LD 30
- FGHL50T65MQDTL4 80 A 650 V, TO-247-4LD 30
- FGH4L50T65SQD 80 A 650 V, TO-247-4LD 30
- FGHL75T65MQDT 80 A 650 V, TO-247-3L 30
- FGHL75T65LQDT 80 A 650 V, TO-247-3L 30
- FGHL50T65MQDT 80 A 650 V, TO-247-3L 30