STGYA50H120DF2, IGBT, 50 A 1200 V, Max247 long leads 1
- RS-varenummer:
- 244-3194
- Producentens varenummer:
- STGYA50H120DF2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.405,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.756,80
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 270 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 46,85 | Kr. 1.405,50 |
| 60 + | Kr. 44,508 | Kr. 1.335,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-3194
- Producentens varenummer:
- STGYA50H120DF2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 50 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. | 535 W | |
| Kapslingstype | Max247 long leads | |
| Konfiguration | Serie | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 50 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. 535 W | ||
Kapslingstype Max247 long leads | ||
Konfiguration Serie | ||
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode