STMicroelectronics, IGBT 1200 V 5 μs, 3 Ben
- RS-varenummer:
- 244-3195
- Producentens varenummer:
- STGYA50H120DF2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 44,28
(ekskl. moms)
Kr. 55,35
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 44,28 |
| 2 + | Kr. 43,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-3195
- Producentens varenummer:
- STGYA50H120DF2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 535W | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 5μs | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | H | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 535W | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 5μs | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie H | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics IGBT udviklet ved hjælp af en Advanced egenudviklet rench gate-feltstopstruktur. Denne enhed er en del af H-serien af IGBT'er, som udgør et optimalt kompromis mellem ledning- og skiftetab for at maksimere effektiviteten af konvertere med høj skiftefrekvens. Desuden medfører en let positiv temperaturkoefficient for VCE (sat) og en meget stram fordeling af parametrene en mere sikker paralleldrift.
Maks. junction-temperatur TJ = 175 C.
5 μs af holdetid for kortslutning
Lav VCE(sat) = 2,1 V (typ.) VED IC = 50 A.
Stram parameterfordeling
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient
Lav termisk modstand
Meget hurtig genindvindingsantiparallel diode