STMicroelectronics, IGBT 1200 V 5 μs, 3 Ben

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 87,22

(ekskl. moms)

Kr. 109,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 290 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
2 +Kr. 43,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-3195P
Producentens varenummer:
STGYA50H120DF2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

535W

Benantal

3

Switching-hastighed

5μs

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

H

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics IGBT udviklet ved hjælp af en Advanced egenudviklet rench gate-feltstopstruktur. Denne enhed er en del af H-serien af IGBT'er, som udgør et optimalt kompromis mellem ledning- og skiftetab for at maksimere effektiviteten af konvertere med høj skiftefrekvens. Desuden medfører en let positiv temperaturkoefficient for VCE (sat) og en meget stram fordeling af parametrene en mere sikker paralleldrift.

Maks. junction-temperatur TJ = 175 C.

5 μs af holdetid for kortslutning

Lav VCE(sat) = 2,1 V (typ.) VED IC = 50 A.

Stram parameterfordeling

Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Lav termisk modstand

Meget hurtig genindvindingsantiparallel diode