FS150R12KT3BOSA1, IGBT-modul, 200 A 1200 V 6
- RS-varenummer:
- 244-5403
- Producentens varenummer:
- FS150R12KT3BOSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 bakke af 10 enheder)*
Kr. 13.021,05
(ekskl. moms)
Kr. 16.276,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 1.302,105 | Kr. 13.021,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5403
- Producentens varenummer:
- FS150R12KT3BOSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 200 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | +/-20V | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Effektafsættelse maks. | 700 W | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 200 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. +/-20V | ||
Antal transistorer 6 | ||
Effektafsættelse maks. 700 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.
Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF