Infineon, IGBT-modul 650 V Hulmontering 4
- RS-varenummer:
- 248-1200
- Producentens varenummer:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 369,74
(ekskl. moms)
Kr. 462,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 369,74 |
| 2 - 4 | Kr. 351,26 |
| 5 - 9 | Kr. 336,45 |
| 10 - 19 | Kr. 321,71 |
| 20 + | Kr. 306,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-1200
- Producentens varenummer:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 56.7mm | |
| Højde | 12mm | |
| Bredde | 42.5mm | |
| Serie | F3L100R07W2H3B11 | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Antal transistorer 4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 56.7mm | ||
Højde 12mm | ||
Bredde 42.5mm | ||
Serie F3L100R07W2H3B11 | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon gør dette EasyPACK 2B 650 V, 100 A IGBT-modul med 3 niveauer og Trench/Fieldstop IGBT H3 og Rapid-diode og Pressfit/NTC. Denne enhed har et brugervenligt, kompakt design og optimeret ydeevne. Enheden giver ekstra fordele som f.eks. øget spærrespænding op til 650 V, lavt induktiv design, lavt koblingstab og lav VCE, sat. Den anvender et Al2O3 substrat med lav termisk modstand og prespasning kontaktteknologi. Denne enhed giver robust montering takket være integreret monteringsklemme.
Bedste forhold mellem pris og ydeevne med reducerede systemomkostninger
Høj grad af frihed i design og anvender IGBT HighSpeed 3 teknologi
Højeste effektivitet og effekttæthed