F3L100R07W2E3B11BOMA1, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 634,53

(ekskl. moms)

Kr. 793,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 14 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 634,53
5 - 9Kr. 621,89
10 - 99Kr. 577,01
100 - 249Kr. 528,84
250 +Kr. 488,22

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-7363
Producentens varenummer:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

117 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

+/-20V

Effektafsættelse maks.

300 W

Kapslingstype

Modul

Monteringstype

Panelmontering

Infineon IGBT-modulet har 650 V VCES, 100 A kontinuerlig DC-kollektorstrøm 3 niveauer fase ben fase ben IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC og Press FIT Kontaktteknologi. Dette IGBT-modul har øget blokeringsspændingskapacitet til 650 V og fås med Al2O3-substrat med lav termisk modstand.

Lav VCEsat
Kompakt design
Robust montering
Lavt induktivt design
Lavt skiftetab

Relaterede links