F3L150R07W2E3B11BOMA1, IGBT-modul, 650 A 150 V, Modul

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 815,90

(ekskl. moms)

Kr. 1.019,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 9 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 815,90
5 - 9Kr. 799,46
10 - 99Kr. 741,72
100 - 249Kr. 680,01
250 +Kr. 627,72

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-7365
Producentens varenummer:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

650 A

Kollektor emitter spænding maks.

150 V

Gate emitter spænding maks.

+/-20V

Effektafsættelse maks.

335 W

Kapslingstype

Modul

Monteringstype

Panelmontering

Infineons IGBT-modul har 650 V VCES, 150 A kontinuerlig DC-kollektorstrøm 3 niveauer fase ben fase ben IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC og Press FIT Contact Technology. Dette IGBT-modul har øget blokeringsspændingskapacitet til 650 V og fås med Al2O3-substrat med lav termisk modstand.

Lav VCEsat
Kompakt design
Stiv montering
Lavt induktivt design
Lavt skiftetab

Relaterede links