F3L150R07W2E3B11BOMA1, IGBT-modul, 650 A 150 V, Modul

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bakke af 15 enheder)*

Kr. 9.953,475

(ekskl. moms)

Kr. 12.441,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
15 - 90Kr. 663,565Kr. 9.953,48
105 +Kr. 608,269Kr. 9.124,04

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-7364
Producentens varenummer:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

650 A

Kollektor emitter spænding maks.

150 V

Gate emitter spænding maks.

+/-20V

Effektafsættelse maks.

335 W

Kapslingstype

Modul

Monteringstype

Panelmontering

Infineons IGBT-modul har 650 V VCES, 150 A kontinuerlig DC-kollektorstrøm 3 niveauer fase ben fase ben IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC og Press FIT Contact Technology. Dette IGBT-modul har øget blokeringsspændingskapacitet til 650 V og fås med Al2O3-substrat med lav termisk modstand.

Lav VCEsat
Kompakt design
Stiv montering
Lavt induktivt design
Lavt skiftetab

Relaterede links