STGH30H65DFB-2AG, IGBT, 60 A 650 V, H2PAK-2 1
- RS-varenummer:
- 248-4893
- Producentens varenummer:
- STGH30H65DFB-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 15.101,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.876,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 15,101 | Kr. 15.101,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-4893
- Producentens varenummer:
- STGH30H65DFB-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 60 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | 20V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. | 260 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Kapslingstype | H2PAK-2 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 60 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. 20V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. 260 W | ||
Konfiguration Single | ||
Kapslingstype H2PAK-2 | ||
STMicroelectronics-produktet er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en Advanced egenudviklet rench gate-feltstopstruktur. Enheden er en del af den nye HB-serie af IGBT'er, som udgør et optimalt kompromis mellem ledning- og skiftetab for at maksimere effektiviteten af enhver frekvensomformer. Desuden medfører den let positive VCEsat temperaturkoefficient og meget stram parameterfordeling en mere sikker parallelkobling.
AEC-Q101 kvalificeret
Serie til skift af høj hastighed
Sikrere parallelkobling
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Blød og meget hurtig antiparallel diode til gendannelse
Serie til skift af høj hastighed
Sikrere parallelkobling
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Blød og meget hurtig antiparallel diode til gendannelse
Relaterede links
- STGH30H65DFB-2AG 60 A 650 V, H2PAK-2 1
- GH50H65DRB2-7AG 108 A 650 V H2PAK-7 1
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 40 V H2PAK, STripFET F6 STH175N4F6-2AG
- STGWA30IH65DF 60 A 650 V TO-247 1
- RGTV60TS65DGC11 60 A 650 V TO-247 1 Enkelt
- FGHL40T65MQDT 60 A 650 V, TO-247-3L 30
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1.5 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, MDmesh K5
