STGYA50M120DF3, IGBT, 100 A 1200 V, Max 247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 56,92

(ekskl. moms)

Kr. 71,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 41 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 56,92
5 - 9Kr. 54,16
10 - 24Kr. 48,62
25 - 49Kr. 43,83
50 +Kr. 42,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
248-4896
Producentens varenummer:
STGYA50M120DF3
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

100 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

535 W

Kapslingstype

Max 247

Konfiguration

Single

STMicroelectronics-produktet er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en Advanced egenudviklet rench gate-feltstopstruktur. Enheden er en del af IGBT'er i M-serien, som udgør en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor det lave tab og kortslutningsfunktionaliteten er afgørende. Desuden medfører den positive VCEsat temperaturkoefficient og den stramme parameters fordeling en mere sikker parallelkobling.

Maksimal samledstemperatur på 175 grader C.
10 μs kortslutning modstår tid
Lav VCEsat
Stram parameterfordeling
Positiv VCEsat temperaturkoefficient
Lav termisk modstand
Blød og hurtig genindvindingsantiparallel diode

Relaterede links