BIDD05N60T, IGBT, 5 A 600 V, TO-252 1
- RS-varenummer:
- 253-3500
- Producentens varenummer:
- BIDD05N60T
- Brand:
- Bourns
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,70
(ekskl. moms)
Kr. 64,60
(inkl. moms)
Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 2.430 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 10,34 | Kr. 51,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 253-3500
- Producentens varenummer:
- BIDD05N60T
- Brand:
- Bourns
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 5 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±30V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. | 82 W | |
| Konfiguration | Enkelt diode | |
| Kapslingstype | TO-252 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 5 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 600 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±30V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. 82 W | ||
Konfiguration Enkelt diode | ||
Kapslingstype TO-252 | ||
Bourns IGBT-enheden kombinerer teknologi fra en MOS-gate og en bipolær transistor til en optimal komponent til anvendelser med høj spænding og høj strømstyrke. Denne enhed bruger Trench-Gate Field-Stop-teknologi, der giver større styring af dynamiske egenskaber med en lavere kollektor-emitter-mætningsspænding (VCE(sat)) og færre skiftetab. Desuden forbedrer denne struktur enhedens robusthed.
600 V, 5 A, lav VCE(sat) Trench-Gate Field-Stop-teknologi Optimeret til ledningsevne Robust i overensstemmelse med RoHS