BIDW50N65T, IGBT, 50 A 650 V, TO-247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 75,43

(ekskl. moms)

Kr. 94,288

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.102 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 37,715Kr. 75,43
10 - 48Kr. 33,885Kr. 67,77
50 - 98Kr. 31,975Kr. 63,95
100 - 248Kr. 27,825Kr. 55,65
250 +Kr. 27,265Kr. 54,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
253-3509
Producentens varenummer:
BIDW50N65T
Brand:
Bourns
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Bourns

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

416 W

Kapslingstype

TO-247

Konfiguration

Enkelt diode

Bourns IGBT-enheden kombinerer teknologi fra en MOS-gate og en bipolær transistor til en optimal komponent til anvendelser med høj spænding og høj strømstyrke. Denne enhed bruger Trench-Gate Field-Stop-teknologi, der giver større styring af dynamiske egenskaber med en lavere kollektor-emitter-mætningsspænding (VCE(sat)) og færre skiftetab. Desuden giver denne struktur en lavere termisk modstand R(th).

650 V, 50 A, lav kollektor-emitter mætningsspænding (VCE(sat)) Trench-Gate Field-Stop-teknologi Optimeret til ledning i overensstemmelse med RoHS

Relaterede links