Bourns, IGBT, 100 A 650 V, TO-247
- RS-varenummer:
- 253-3509
- Producentens varenummer:
- BIDW50N65T
- Brand:
- Bourns
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 85,12
(ekskl. moms)
Kr. 106,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.098 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 42,56 | Kr. 85,12 |
| 10 - 48 | Kr. 38,185 | Kr. 76,37 |
| 50 - 98 | Kr. 36,09 | Kr. 72,18 |
| 100 - 248 | Kr. 31,455 | Kr. 62,91 |
| 250 + | Kr. 31,115 | Kr. 62,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 253-3509
- Producentens varenummer:
- BIDW50N65T
- Brand:
- Bourns
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 100A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.65V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 100A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.65V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Bourns IGBT-enheden kombinerer teknologi fra en MOS-gate og en bipolær transistor til en optimal komponent til anvendelser med høj spænding og høj strømstyrke. Denne enhed bruger Trench-Gate Field-Stop-teknologi, der giver større styring af dynamiske egenskaber med en lavere kollektor-emitter-mætningsspænding (VCE(sat)) og færre skiftetab. Desuden giver denne struktur en lavere termisk modstand R(th).
650 V, 50 A, lav kollektor-emitter mætningsspænding (VCE(sat)) Trench-Gate Field-Stop-teknologi Optimeret til ledning i overensstemmelse med RoHS