FF50R12RT4HOSA1, IGBT, 50 A 1200 V, AG-34MM 2

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bakke af 10 enheder)*

Kr. 5.868,44

(ekskl. moms)

Kr. 7.335,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
10 - 40Kr. 586,844Kr. 5.868,44
50 +Kr. 575,175Kr. 5.751,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
260-8887
Producentens varenummer:
FF50R12RT4HOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

285 W

Antal transistorer

2

Konfiguration

Dual

Kapslingstype

AG-34MM

Monteringstype

Chassismontering

Infineon dobbelt IGBT-modul er 34 mm 1200 V, 50 A hurtig TRENCHSTOP IGBT4 og emitterstyret 4-diode. VCEsat med positiv temperaturkoefficient giver fleksibilitet, optimal elektrisk ydeevne og højeste pålidelighed.

Udvidet driftstemperatur
Lavt skiftetab
Lav VCEsat
Isoleret bundplade
Standardhus

Relaterede links