STGSB200M65DF2AG, IGBT, NPN-Kanal, 200 A 650 V, 9 ben, ECOPACK 2

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 200 enheder)*

Kr. 21.877,00

(ekskl. moms)

Kr. 27.346,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 200 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
200 - 200Kr. 109,385Kr. 21.877,00
400 +Kr. 103,915Kr. 20.783,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-5093
Producentens varenummer:
STGSB200M65DF2AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

200 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

714 W

Antal transistorer

2

Konfiguration

Single

Kapslingstype

ECOPACK

Monteringstype

Overflademontering

Kanaltype

NPN

Benantal

9

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M-serien IGBT i en ACEPACK SMIT-pakke. Denne enhed er en IGBT udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær grøft gate felt stop struktur. Enheden er en del af M-serien af IGBT'er, som repræsenterer en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor lavt tab og kortslutningsfunktionalitet er afgørende.

Tæt parameterfordeling
Lav termisk modstand
Terning på direkte bundet kobber (DBC) substrat

Relaterede links