STGSB200M65DF2AG, IGBT, NPN-Kanal, 200 A 650 V, 9 ben, ECOPACK 2
- RS-varenummer:
- 273-5094P
- Producentens varenummer:
- STGSB200M65DF2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.279,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.599,80
(inkl. moms)
Tilføj 10 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 49 | Kr. 127,98 |
| 50 - 99 | Kr. 121,48 |
| 100 - 149 | Kr. 115,42 |
| 150 + | Kr. 109,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5094P
- Producentens varenummer:
- STGSB200M65DF2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 200 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Effektafsættelse maks. | 714 W | |
| Kapslingstype | ECOPACK | |
| Konfiguration | Single | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kanaltype | NPN | |
| Benantal | 9 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 200 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Antal transistorer 2 | ||
Effektafsættelse maks. 714 W | ||
Kapslingstype ECOPACK | ||
Konfiguration Single | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kanaltype NPN | ||
Benantal 9 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M-serien IGBT i en ACEPACK SMIT-pakke. Denne enhed er en IGBT udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær grøft gate felt stop struktur. Enheden er en del af M-serien af IGBT'er, som repræsenterer en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor lavt tab og kortslutningsfunktionalitet er afgørende.
Tæt parameterfordeling
Lav termisk modstand
Terning på direkte bundet kobber (DBC) substrat
Lav termisk modstand
Terning på direkte bundet kobber (DBC) substrat
