STGD4H60DF, IGBT, 4 A 600 V, 3 ben, DPAK 1

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 7.315,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.145,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,926Kr. 7.315,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
287-7044
Producentens varenummer:
STGD4H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

4 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

75 W

Kapslingstype

DPAK

Konfiguration

Enkelt kollektor, enkelt emitter, enkelt-gate

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Trench gate field stop er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær trench gate field stop-struktur. Denne enhed er en del af H-serien af IGBT'er, som repræsenterer et optimalt kompromis mellem lednings- og koblingstab for at maksimere effektiviteten af omformere med høj koblingsfrekvens. Desuden resulterer en let positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient og en meget stram parameterfordeling i en mere sikker paralleldrift.

Lav termisk modstand
Kortslutningsmæssig
Antiparallel diode med blød og hurtig gendannelse

Relaterede links