STGD4H60DF, IGBT, 4 A 600 V, 3 ben, DPAK 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 7,12

(ekskl. moms)

Kr. 8,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 28Kr. 3,56Kr. 7,12
30 - 58Kr. 3,23Kr. 6,46
60 - 118Kr. 2,875Kr. 5,75
120 - 238Kr. 2,57Kr. 5,14
240 +Kr. 2,305Kr. 4,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
287-7045
Producentens varenummer:
STGD4H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

4 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

75 W

Konfiguration

Enkelt kollektor, enkelt emitter, enkelt-gate

Kapslingstype

DPAK

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Trench gate field stop er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær trench gate field stop-struktur. Denne enhed er en del af H-serien af IGBT'er, som repræsenterer et optimalt kompromis mellem lednings- og koblingstab for at maksimere effektiviteten af omformere med høj koblingsfrekvens. Desuden resulterer en let positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient og en meget stram parameterfordeling i en mere sikker paralleldrift.

Lav termisk modstand
Kortslutningsmæssig
Antiparallel diode med blød og hurtig gendannelse

Relaterede links