IRG4BC30WPBF, IGBT, N-Kanal, 23 A 600 V, 3 ben, TO-220AB Enkelt

Optimerede IGBT'er designet til anvendelser med middelfrekvens med hurtig respons, hvilket giver brugeren den højest mulige effektivitet. Disse enheder anvender FRED-dioder, der er optimeret til at give den bedste ydelse med IGBT'er

IGBT-transistorer, International Rectifier

International Rectifier tilbyder en omfattende IGBT-portefølje (bipolær transistor med isoleret port), der spænder fra 300 V til 1200 V baseret på forskellige teknologier, som minimerer skifte- og ledertab for at øge effektivitet, reducere termiske problemer og forbedre effekttæthed. Firmaet har også et bredt udvalg af IGBT-matricer, der er specielt designet til moduler med middel til høj effekt. Til moduler, der kræver den højest mulige pålidelighed, kan matricer med loddebart frontmetal (solderable front metal - SFM) anvendes til at fjerne forbundne ledere og give mulighed for dobbeltsidet køling til forbedret termisk ydeevne, pålidelighed og effektivitet.