STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klemme

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 1.661,50

(ekskl. moms)

Kr. 2.076,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 576 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
10 - 99Kr. 166,15
100 +Kr. 164,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
686-8348P
Producentens varenummer:
STGE200NB60S
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

200A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

600W

Emballagetype

ISOTOP

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

Type N

Benantal

4

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.6V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

38.2mm

Højde

12.2mm

Standarder/godkendelser

ECOPACK, JESD97

Serie

Powermesh

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.