STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klemme

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 356,94

(ekskl. moms)

Kr. 446,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 577 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
2 +Kr. 178,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
686-8348P
Producentens varenummer:
STGE200NB60S
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

200A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

600W

Emballagetype

ISOTOP

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

Type N

Benantal

4

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

Powermesh

Længde

38.2mm

Højde

12.2mm

Bredde

31.7 mm

Standarder/godkendelser

ECOPACK, JESD97

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Recently viewed