STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 200 A 600 V, 4 Ben, ISOTOP Klemme
- RS-varenummer:
- 686-8348P
- Producentens varenummer:
- STGE200NB60S
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.661,50
(ekskl. moms)
Kr. 2.076,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 572 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 166,15 | - |
| 100 + | Kr. 164,12 | 1% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 686-8348P
- Producentens varenummer:
- STGE200NB60S
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 200A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 600W | |
| Emballagetype | ISOTOP | |
| Monteringstype | Klemme | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 4 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 12.2mm | |
| Serie | Powermesh | |
| Bredde | 31.7mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK, JESD97 | |
| Længde | 38.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 200A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 600W | ||
Emballagetype ISOTOP | ||
Monteringstype Klemme | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 4 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 12.2mm | ||
Serie Powermesh | ||
Bredde 31.7mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK, JESD97 | ||
Længde 38.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.