SKM150GAR12T4 , IGBT-modul, N-Kanal, 232 A 1200 V, 5 ben, SEMITRANS2 Enkelt
- RS-varenummer:
- 687-4955
- Producentens varenummer:
- SKM150GAR12T4
- Brand:
- Semikron Danfoss
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 740,08
(ekskl. moms)
Kr. 925,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 48 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 740,08 |
| 10 - 19 | Kr. 549,85 |
| 20 + | Kr. 522,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-4955
- Producentens varenummer:
- SKM150GAR12T4
- Brand:
- Semikron Danfoss
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Semikron Danfoss | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 232 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Kapslingstype | SEMITRANS2 | |
| Konfiguration | Single | |
| Monteringstype | Panelmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 5 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Dimensioner | 94 x 34 x 30.1mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Semikron Danfoss | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 232 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Kapslingstype SEMITRANS2 | ||
Konfiguration Single | ||
Monteringstype Panelmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 5 | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Dimensioner 94 x 34 x 30.1mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Enkelte IGBT-moduler
Semikron giver IGBT (bipolær transistor med isoleret port) moduler i SEMITRANS, SEMiX og SEMITOP pakker i forskellige topologier og mærkeværdier for strøm og spænding.
IGBT moduler, Semikron
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- SKM150GAL12T4 N-Kanal 5 ben, SEMITRANS2 Enkelt
- SKM150GB12T4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS2 Serie
- SKM75GB12V N-Kanal 7 ben, SEMITRANS2 Serie
- SKM100GB125DN N-Kanal 7 ben, SEMITRANS2 Serie
- SKM75GB12T4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS2 Serie
- SKM50GB12T4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS2 Serie
- SKM100GB12T4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS2 Serie
- SKM100GAL12T4 N-Kanal, 160 A 1200 V 1 Enkelt
